这款非易失性内存是高端汽车市场高级驾驶辅助系统（adas）的理想之选
上海，2020年5月11日 – 富士通电子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型号为mb85rs2mly的全新2mbit fram，可在125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至1．7v至1．95v，配有串行外设接口（spi）。目前可为客户提供评测版样品，将在6月实现量产。
这款全新fram产品是汽车电子电控单元的最佳选择，满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求，如adas。
图1：mb85rs2mly 8pin dfn 封装
图2：应用实例（adas）
fram的读／写耐久性、写入速度和功耗均优于eeprom和闪存，已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的fram。
自2017年以来，富士通电子不断推出工作电压3．3v或5v的64kbit～2mbit的汽车级fram产品。但高端汽车电控单元的推出，使得一些客户开始要求fram的工作电压低于1．8v。富士通电子近日推出的这款全新fram正是为了满足这一市场需求而面世的。
mb85rs2mly在－40°c至＋125°c温度范围内可以达到10兆次读／写次数，适合某些需要实时数据记录的应用，比如连续10年每天每0．1秒记录一次数据，则写入次数将超过30亿。另外，这款产品可靠性测试符合aec－q100 grade 1标准，达到汽车级产品的认证标准。因此，在数据写入耐久性和可靠性方面，富士通电子最新推出的这款fram完全支持adas等需要实时数据记录的应用。
这款fram产品采用业界标准8－pin sop封装，可轻松取代现有类似引脚的eeprom。此外，还提供外形尺寸为5．0mm x 6．0mm x 0．9mm的8－pin dfn（无引线双侧扁平）封装。
图3：8pin dfn和8pin sop封装
除2mbit fram，富士通电子目前正在研发125°c温度系列容量为4mbit的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案，满足市场和客户的未来需求。
关键规格
·组件型号：mb85rs2mly
·容量（组态）：2 mbit（256k x 8位）
·接口：spi（serial peripheral interface）
·运作频率：最高50 mhz
·运作电压：1．7伏特 － 1．95伏特
·运作温度范围：摄氏零下40度 － 摄氏125度
·读∕写耐用度：10兆次 （1013次）
·封装规格：8－pin sop与8－pin dfn
·认证标准：符合aec－q100 grade 1
词汇与备注
注一：铁电随机存取内存（fram）
fram是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存数据。fram结合了rom和ram的特性，并拥有高速写入数据、低功耗和高速读／写周期的优点。富士通自1999年即开始生产fram，亦称为feram。
关于富士通电子元器件（上海）有限公司
富士通电子元器件（上海）有限公司是富士通在中国的半导体业务总部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹富士通在中国半导体的销售业务。
富士通电子元器件（上海）有限公司的主要销售产品包括 custom socs （asics），代工服务，专用标准产品（assps），铁电随机存储器，继电器，gan（氮化镓），mcu和电源功率器件等，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。
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